कम नाली के साथ 80V एन-चैनल पावर मस्जिद

तोशिबा इलेक्ट्रॉनिक डिवाइसेस एंड स्टोरेज कॉर्पोरेशन ने अपनी U-MOS XH सीरीज़ को नई 80V एन-चैनल पावर MOSFETs के साथ बढ़ाया है जो नवीनतम पीढ़ी की प्रक्रिया के साथ डिज़ाइन किए गए हैं। विस्तारित लाइन-अप में " TPH2R408QM," एसओपी एडवांस में रखे गए, एक सतह-माउंट प्रकार की पैकेजिंग, और " टीपीएन 19008 क्यूएम," एक टीएसओएन एडवांस पैकेज में रखे गए हैं।

वर्तमान पीढ़ी की तुलना में नए 80V U-MOS XH उत्पादों में 40% कम ड्रेन-सोर्स ऑन-रेसिस्टेंस है । उनके पास अनुकूलित उपकरण संरचना के कारण ड्रेन-सोर्स ऑन-रेसिस्टेंस और गेट चार्ज विशेषताओं के बीच एक बेहतर ट्रेड-ऑफ भी है।

TPH2R408QM और TPN19008QM की विशेषताएं

पैरामीटर	TPH2R408QM	TPN19008QM
नाली स्रोत वोल्टेज (Vds)	80 वी	80 वी
नाली वर्तमान	120A	120A
पर प्रतिरोध @ Vgs = 6V	3.5 वर्ग मीटर	28 वर्ग मीटर
गेट स्विच चार्ज	28nC	5.5nC है
इनपुट क्षमता	5870pF	1020 पी.एफ.
पैकेज	शराबी	TSON

सबसे कम बिजली अपव्यय के साथ, ये नए MOSFETs औद्योगिक उपकरणों जैसे कि उच्च दक्षता वाले एसी-डीसी कन्वर्टर्स, डीसी-डीसी कन्वर्टर्स आदि में बिजली की आपूर्ति को स्विच करने के लिए उपयुक्त हैं, जिनका उपयोग केंद्र और संचार बेस स्टेशनों और मोटर नियंत्रण उपकरणों में भी किया जाता है। । TPH2R408QM और TPN19008QM के बारे में अधिक जानकारी के लिए, उत्पाद पृष्ठ पर जाएँ।