तोशिबा इलेक्ट्रॉनिक डिवाइसेस एंड स्टोरेज कॉर्पोरेशन ने दो नए 100V एन-चैनल पावर MOSFET पेश किए हैं जिनका नाम XPH4R10ANB और XPH6R30ANB है। ये ऑटोमोटिव एप्लिकेशन के लिए कॉम्पैक्ट एसओपी एडवांस (डब्ल्यूएफ) पैकेज में तोशिबा का पहला 100V एन-चैनल पावर MOSFETs हैं । कम ऑन-रेसिस्टेंस XPH4R10ANB में 70A का ड्रेन करंट है जबकि XPH6R30ANB में 45A का ड्रेन करंट है। वेटटेबल फ्लैंक टर्मिनल संरचना पैकेज की विश्वसनीयता को बढ़ाती है क्योंकि यह सर्किट बोर्ड पर घुड़सवार होने पर स्वचालित दृश्य निरीक्षण की अनुमति देता है। इन MOSFETs का कम ऑन-प्रतिरोध बिजली की खपत को कम करने में मदद करता है और XPH4R10ANB उद्योग-अग्रणी कम ऑन-प्रतिरोध को बचाता है।
XPH4R10ANB और XPH6R30ANB पावर MOSFET की विशेषताएं
- एक छोटे, सतह माउंट SOP एडवांस (WF) पैकेज का उपयोग करके मोटर वाहन अनुप्रयोगों के लिए तोशिबा के पहले 100V उत्पादों
- 175 डिग्री सेल्सियस के चैनल तापमान पर काम करते हैं
- कम ऑन-प्रतिरोध:
R DS (ON) = 4.1m max (अधिकतम) @V GS = 10V (XPH4R10ANB)
R DS (ON) = 6.3mΩ (अधिकतम) @V GS = 10V (XPH6R10ANB)
- AEC-Q101 योग्य
- SOP एडवांस (WF) पैकेज के साथ wettable flank टर्मिनल संरचना
इन MOSFETs का उपयोग ऑटोमोटिव उपकरणों में किया जा सकता है जैसे बिजली की आपूर्ति (DC / DC कनवर्टर) और एलईडी हेडलाइट्स, आदि (मोटर ड्राइव, स्विचिंग रेगुलेटर और लोड स्विच)। XPH4R10ANB और XPH6R30ANB के बारे में अधिक विस्तार के लिए, तोशिबा इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों और भंडारण निगम की आधिकारिक वेबसाइट पर संबंधित उत्पाद पृष्ठों पर जाएं।