Infineon से CoolGaN उच्च-इलेक्ट्रॉन-गतिशीलता ट्रांजिस्टर (HEMT) अर्धचालक बिजली की आपूर्ति में उच्च गति स्विचिंग की सुविधा प्रदान करते हैं। ये उच्च दक्षता ट्रांजिस्टर हार्ड और सॉफ्ट-स्विचिंग टोपोलॉजी दोनों के लिए उपयुक्त हैं, जो वायरलेस चार्जिंग, स्विच्ड मोड पावर सप्लाई (एसएमपीएस), दूरसंचार, हाइपरस्केल डेटा सेंटर और सर्वर जैसे अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाता है। ये ट्रांजिस्टर अब मौसर इलेक्ट्रॉनिक्स से खरीदने के लिए उपलब्ध हैं।
HEMTs सिलिकॉन ट्रांजिस्टर की तुलना में 10 गुना कम आउटपुट चार्ज और गेट चार्ज प्रदान करते हैं, साथ ही दस गुना अधिक ब्रेकडाउन क्षेत्र और गतिशीलता को दोगुना करते हैं। टर्न-ऑन और टर्न-ऑफ के लिए अनुकूलित, उपकरणों में नवीन स्विचिंग समाधान देने के लिए नई टोपोलॉजी और वर्तमान मॉड्यूलेशन शामिल हैं। एचईएमटी की सतह-माउंट पैकेजिंग यह सुनिश्चित करती है कि स्विचिंग क्षमताएं पूरी तरह से सुलभ हैं, जबकि उपकरणों की कॉम्पैक्ट डिज़ाइन सीमित स्थान के अनुप्रयोगों में उनके उपयोग को सक्षम बनाती है।
Infineon के CoolGaN गैलियम नाइट्राइड एचईएमटी EVAL_1EDF_G1_HB_GAN और EVAL_2500W_PFC_G मूल्यांकन प्लेटफार्मों द्वारा समर्थित हैं। EVAL_1EDF_G1_HB_GAN बोर्ड में CoolGaN 600 V HEMT और एक Infineon GaN EiceDRIVE गेट ड्राइवर IC है जो इंजीनियरों को कनवर्टर और इन्वर्टर अनुप्रयोगों के लिए सार्वभौमिक अर्ध-पुल टोपोलॉजी में उच्च आवृत्ति GaN क्षमताओं का मूल्यांकन करने में सक्षम बनाता है। EVAL_2500W_PFC_G बोर्ड में CoolGaN 600V ई-मोड HEMTs, एक CoolMOS ™ C7 गोल्ड सुपरजंक्शन MOSFET, और EiceDRIVER गेट ड्राइवर ICs शामिल हैं जो 2.5 kW पूर्ण-पुल शक्ति कारक सुधार (PFC) मूल्यांकन उपकरण प्रदान करते हैं जो ऊर्जा में 99 प्रतिशत से ऊपर सिस्टम दक्षता को बढ़ाता है। SMPS और टेलीकॉम रेक्टिफायर जैसे महत्वपूर्ण अनुप्रयोग।
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